RIBER lance le MBE 8000 pour la production de masse d’epiwafer

• Le MBE 8000 intègre le catalogue des offres systèmes de RIBER
• Une productivité deux fois supérieure à celle des produits existants
• Uniformités exceptionnelles
• Haute reproductibilité des performances d’un cycle à l’autre

Bezons (France),19 décembre 2023 – 8:00 (CET) – RIBER, leader mondial des équipements d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) pour l’industrie des semi-conducteurs, a le plaisir d’annoncer la qualification finale de sa plateforme de production MBE 8000 par un grand fabricant américain d’epiwafer.

Un nouvel avantage concurrentiel pour nos clients

Le MBE 8000 offre une productivité deux fois supérieure à celle des produits existants sur le marché, tout en offrant des performances exceptionnelles. La flexibilité de la technologie MBE permet au MBE 8000 de RIBER de répondre à tous les marchés en croissance des semi-conducteurs composés, qu’il s’agisse de VCSEL, de transistors ou de capteurs, qui exigent des performances élevées en termes d’uniformité, de reproductibilité et de stabilité.

Ce système est capable de produire des lots de huit wafers de 150 mm (6 pouces) ou de quatre wafers de 200 mm (8 pouces), augmentant ainsi la capacité de 50 % par rapport aux produits existants. La conception des cellules, la géométrie du système et le contrôle du processus étant identiques, le transfert du processus se fait en un minimum de temps et la prise en main est facilitée pour les opérateurs des machines RIBER.

La dernière étape de qualification a permis de valider le MBE 8000 en termes de processus, de robustesse, de stabilité, d’ergonomie et de contrôle. A titre d’exemple, la densité de défauts mesurée sur 30 cycles est inférieure à 50 particules par cm² mesurées sur une structure de type VCSEL et sur des particules de taille comprise entre 0,8 et 8µm.

Avec un coût de possession optimal et une grande capacité, le système MBE 8000 ouvre de belles perspectives de développement commercial pour l’avenir.

Pour en savoir plus, des informations sur le MBE 8000 sont disponibles sur ce lien.

RIBER / MBE 8000
Meilleures réalisations reportées :
• Uniformité de l’épaisseur des super-réseaux InGaAs/GaAs sur l’ensemble du plateau 8×6 » : 298Å ± 2 Å
• Variation de longueur d’onde de la Cavité Fabry Perot sur des miroirs AlAs/GaAs sur l’ensemble du plateau 8×6 » : 3nm
• Mobilité des électrons mesurée sur une structure type HEMT : 178 000 cm²V-1s-1 à 77K

Publié le mardi 19 décembre 2023 à 08h00